SSD 500 GB SATA 3 Serie 840 EVO - mSATA

Disco SSD Samsung Serie 850 EVO 500GB mSATA 3 (MZ-M5E500BW)

Samsung

8806086585682

Novo

SSD 500 GB SATA 3 Serie 850 EVO - mSATA

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Memória
Capacidade da memória incorpor500 GB
Tipo de flash cardMemória de Armazenamento Samsung 3D V-NAND 32 camadas
Velocidade de leitura, suporte
  • Leitura sequencial : até 540 MB/s
  • Leitura aleatória (4KB, QD1) : até 10 000 IOPS
  • Leitura aleatória (4KB, QD32) : Até 97 000 IOPS
  • Velocidade de escrita
  • Escrita Sequencial : até 520 MB/s
  • Escrita aleatória (4KB, QD1) : até 40 000 IOPS
  • Escrita aleatória (4KB, QD32) : até 88 000 IOPS
  • Flash memory classFlash Storage
    Memória cache512 MB DDR3 SDRAM (Baixa potência da Samsung)
    Formato do cartão de memóriamSATA
    Pesos e dimensões
    Peso do produto8,3 Gr
    Largura do produto50,8 mm
    Profundidade da Unidade29,85 mm
    Altura da Unidade3,85 mm
    Gestão de energia
    Tensão5 V ± 5%
    Durabilidade
    Duração1,5 milhões de horas (MTBF)
    Embalagem
    Quantidade por pack1
    Special features
    À prova de impacto1 500 G e 0,5 ms (Semi-sinusoidal)
    ControladorSamsung MGX
    Suporte TRIMCompatível com TRIM
    Suporte S.M.A.R.T.Compatível com S.M.A.R.T.
    Suporte de EncriptaçãoEncriptação AES de 256 bits (Classe 0), TCG / Opal, IEEE 1667 (unidade encriptada)
    Suporte WWNCompatível com World Wide Name
    GC (recolha de lixo)Algoritmo de recolha automática de lixo
    Detalhes Técnicos
    CompatibilidadePC / NB / Tablet PC
    GarantiaGarantia limitada de 5 anos ou garantia limitada de 150 TBW
    EAN8806086585682
    EAN8806086585682
    GarantiaGarantia limitada de 5 anos ou garantia limitada de 150 TBW
    Largura do produto50,8 mm
    Profundidade da Unidade29,85 mm
    Altura da Unidade3,85 mm
    Peso do produto8,3 Gr
    Capacidade da memória incorpor500 GB
    Tensão5 V ± 5%
    CompatibilidadePC / NB / Tablet PC
    Velocidade de escrita<li>Escrita Sequencial : até 520 MB/s<li>Escrita aleatória (4KB, QD1) : até 40 000 IOPS<li> Escrita aleatória (4KB, QD32) : até 88 000 IOPS
    Velocidade de leitura, suporte<li>Leitura sequencial : até 540 MB/s<li>Leitura aleatória (4KB, QD1) : até 10 000 IOPS<li>Leitura aleatória (4KB, QD32) : Até 97 000 IOPS
    Suporte TRIMCompatível com TRIM
    Quantidade por pack1
    Tipo de flash cardMemória de Armazenamento Samsung 3D V-NAND 32 camadas
    Flash memory classFlash Storage
    Memória cache512 MB DDR3 SDRAM (Baixa potência da Samsung)
    ControladorSamsung MGX
    À prova de impacto1 500 G e 0,5 ms (Semi-sinusoidal)
    Duração1,5 milhões de horas (MTBF)
    Formato do cartão de memóriamSATA
    Suporte S.M.A.R.T.Compatível com S.M.A.R.T.
    Suporte de EncriptaçãoEncriptação AES de 256 bits (Classe 0), TCG / Opal, IEEE 1667 (unidade encriptada)
    Suporte WWNCompatível com World Wide Name
    GC (recolha de lixo)Algoritmo de recolha automática de lixo

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